IRF9520SPBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9520SPBF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IRF9520SPBF datasheet

 ..1. Size:1012K  international rectifier
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IRF9520SPBF

PD-95987 IRF9520SPbF Lead-Free 06/07/05 Document Number 91075 www.vishay.com 1 IRF9520SPbF Document Number 91075 www.vishay.com 2 IRF9520SPbF Document Number 91075 www.vishay.com 3 IRF9520SPbF Document Number 91075 www.vishay.com 4 IRF9520SPbF Document Number 91075 www.vishay.com 5 IRF9520SPbF Document Number 91075 www.vishay.com 6 IRF9520SPbF Peak Diode Re

 ..2. Size:196K  vishay
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IRF9520SPBF

IRF9520S, SiHF9520S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 100 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.60 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 18 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 3.0 P-Channel Qgd (nC) 9.0 175 C Operating Temperature Fa

 6.1. Size:173K  international rectifier
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IRF9520SPBF

 6.2. Size:171K  vishay
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IRF9520SPBF

IRF9520S, SiHF9520S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 100 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.60 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 18 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 3.0 P-Channel Qgd (nC) 9.0 175 C Operating Temperature Fa

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