SSM3K339R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM3K339R  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.185 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SSM3K339R datasheet

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SSM3K339R

SSM3K339R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K339R SSM3K339R SSM3K339R SSM3K339R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 1.8-V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 145 m (typ.) (@VGS = 8.0 V, ID = 1.0 A) RDS(ON) = 155

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SSM3K339R

SSM3K336R MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R SSM3K336R 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 4.5 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 95 m (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 140 m (max) (@VG

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SSM3K339R

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