IRF9640LPBF Todos los transistores

 

IRF9640LPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9640LPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF9640LPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  vishay
 irf9640l irf9640lpbf.pdf pdf_icon

IRF9640LPBF

IRF9640S, SiHF9640S, IRF9640L, SiHF9640LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 44 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 7.1 P-ChannelQgd (nC) 27 Fast Switching

 6.1. Size:169K  vishay
 irf9640s sihf9640s irf9640l sihf9640l.pdf pdf_icon

IRF9640LPBF

IRF9640S, SiHF9640S, IRF9640L, SiHF9640LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 200 Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 44 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 7.1 P-ChannelQgd (nC) 27 Fast Switching

 7.1. Size:170K  international rectifier
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IRF9640LPBF

 7.2. Size:170K  international rectifier
 irf9640s.pdf pdf_icon

IRF9640LPBF

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History: LNH4N60

 

 
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