IRF9640PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9640PBF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IRF9640PBF datasheet

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IRF9640PBF

PD - 94981 IRF9640PbF Lead-Free 02/04/04 Document Number 91086 www.vishay.com 1 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 2 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 3 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 4 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 5 IRF9640PbF Document Number 91086 www.vishay.com 6 IRF9640PbF TO-220AB Package O

 ..2. Size:196K  vishay
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IRF9640PBF

IRF9640, SiHF9640 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* P-Channel COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 44 Fast Switching Qgs (nC) 7.1 Ease of Paralleling Qgd (nC) 27 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Direc

 7.1. Size:170K  international rectifier
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