IRF9Z24PBF Todos los transistores

 

IRF9Z24PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF9Z24PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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IRF9Z24PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1214K  international rectifier
 irf9z24pbf.pdf pdf_icon

IRF9Z24PBF

PD- 95415IRF9Z24PbF Lead-Free06/14/04Document Number: 91090 www.vishay.com1IRF9Z24PbFDocument Number: 91090 www.vishay.com2IRF9Z24PbFDocument Number: 91090 www.vishay.com3IRF9Z24PbFDocument Number: 91090 www.vishay.com4IRF9Z24PbFDocument Number: 91090 www.vishay.com5IRF9Z24PbFDocument Number: 91090 www.vishay.com6IRF9Z24PbFDocument Number: 91

 ..2. Size:197K  vishay
 irf9z24pbf sihf9z24.pdf pdf_icon

IRF9Z24PBF

IRF9Z24, SiHF9Z24Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 19 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Require

 7.1. Size:168K  international rectifier
 irf9z24ns.pdf pdf_icon

IRF9Z24PBF

PD - 91742AIRF9Z24NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z24NS)VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF9Z24NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.175 P-ChannelG Fast SwitchingID = -12A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi

 7.2. Size:311K  international rectifier
 irf9z24s.pdf pdf_icon

IRF9Z24PBF

PD - 9.912AIRF9Z24S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z24S)VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z24L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.28 Fast SwitchingG P- ChannelID = -11A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

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History: FCU600N65S3R0 | 2SK1581 | RCX120N25 | WMO26N60F2 | RU40191S | WMJ15N80M3

 

 
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