IRFAG50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFAG50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFAG50

IRFAG50 Datasheet (PDF)

..1. Size:150K international rectifier
irfag50.pdf

PD - 90582REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAG501000V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAG50 1000V 2.0 5.6The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art des

9.1. Size:146K international rectifier
irfag40.pdf

PD -90575REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAG401000V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAG40 1000V 3.5 3.9The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desi

9.2. Size:146K international rectifier
irfag30.pdf

PD -90622REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFAG301000V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFAG30 1000V 5.6 2.3The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desi

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Liste

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