SSM5H01TU Todos los transistores

 

SSM5H01TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM5H01TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: 2-2R1A
 

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SSM5H01TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  toshiba
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SSM5H01TU

SSM5H01TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H01TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Nch MOSFET and Schottky Diode into one Package. Low RDS (ON) and Low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 30 VGate-Source voltage VGSS 20 VDC ID 1.4Drain current

 8.1. Size:267K  1
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SSM5H01TU

SSM5H05TU Silicon N Channel MOS Type (U-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H05TU DC-DC Converter Unit: mm Combined Nch MOSFET and Schottky Diode in one package. Low RDS (ON) and low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 20 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID 1.5Drain current A

 8.2. Size:222K  toshiba
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SSM5H01TU

SSM5H06FE Silicon N Channel MOS Type / Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H06FE DC-DC Converter Unit: mm Combined Nch MOSFET and Schottky Diode in one Package 1.60.05 Small package 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating Unit 1 5Drain-Source voltage VDS 20 V 2VGSS 10 Gate-Source voltage V ID 100DC

 8.3. Size:309K  toshiba
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SSM5H01TU

SSM5H07TU Silicon N Channel MOS Type (-MOS)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode SSM5H07TU DC-DC Converter Unit: mm Nch MOSFET and Schottky diode combined in one package Low RDS (ON) and low VF Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 20 VGate-Source voltage VGSS 12 VDC ID 1.2Drain current A

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History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
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