SSM5P15FE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM5P15FE
   Código: DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.15 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.7 V
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8.6 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: 2-2P1B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM5P15FE

SSM5P15FE Datasheet (PDF)

..1. Size:214K toshiba
ssm5p15fe.pdf

SSM5P15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM5P15FE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low ON resistance : Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -3

6.1. Size:188K toshiba
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SSM5P15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM5P15FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low ON resistance : Ron = 12 (max) (@VGS = -4 V) : Ron = 32 (max) (@VGS = -2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS -3

8.1. Size:215K toshiba
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SSM5P16FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM5P16FE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Small package Unit: mm Low on-resistance : R 8 (max) (@VGS 4 V) DS(ON): R 12 (max) (@VGS 2.5 V) DS(ON): R 45 (max) (@VGS 1.5 V) DS(ON)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

8.2. Size:191K toshiba
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SSM5P16FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(-MOSVI) SSM5P16FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Small package Low on-resistance : RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) : RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) : RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Char

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