SSM6680GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM6680GM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 11.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 16.8 nC
Tiempo de subida (tr): 7.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
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SSM6680GM Datasheet (PDF)
ssm6680gm.pdf
SSM6680GMN-channel Enhancement-mode Power MOSFETPRODUCT SUMMARY DESCRIPTIONThe SSM6680GM acheives fast switching performanceBVDSS 30Vwith low gate charge without a complex drive circuit. ItRDS(ON) 11mis suitable for low voltage applications such as DC/DCconverters and general load-switching circuits.I 11.5AD The SSM6680M is supplied in an RoHS-compliantPb-free; RoHS-c
ssm6618m.pdf
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