SSM90T03GH Todos los transistores

 

SSM90T03GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM90T03GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1010 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSM90T03GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  silicon standard
 ssm90t03gh ssm90t03gj.pdf pdf_icon

SSM90T03GH

SSM90T03GH,JN-channel Enhancement-mode Power MOSFETLow gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement R 4mDS(ON)Fast switching ID 75AGPb-free; RoHS compliant.SDESCRIPTIONGThe SSM90T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for DSTO-252 (H)commercial and industrial surface mount applications, and is well suitedfor low voltage applications such as DC/DC

 5.1. Size:289K  silicon standard
 ssm90t03gp ssm90t03gs.pdf pdf_icon

SSM90T03GH

SSM90T03GP,SN-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30VDSimple drive requirement RDS(ON) 4mFast switching I 75AD GPb-free, RoHS compliant.SDESCRIPTIONGDThe SSM90T03GS is in a TO-263 package, which is widely used forSTO-263 (S)commercial and industrial surface mount applications. This device is suitable for low voltage applications such

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History: IXTN120N25 | ET6309 | P1560JF | IRF8852 | AP2312GN | PSMN1R2-25YLD | IRL2910

 

 
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