SSM90T03GH Todos los transistores

 

SSM90T03GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM90T03GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 83 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1010 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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SSM90T03GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  silicon standard
ssm90t03gh ssm90t03gj.pdf

SSM90T03GH
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 5.1. Size:289K  silicon standard
ssm90t03gp ssm90t03gs.pdf

SSM90T03GH
SSM90T03GH

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