SST176 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST176 📄📄
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.035 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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SST176 datasheet
j174 j175 j176 j177 sst174 sst175 sst176 sst177.pdf
J/SST174/175/176/177 Series Vishay Siliconix P-Channel JFETs J174 SST174 J175 SST175 J176 SST176 J177 SST177 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns) J/SST174 5 to 10 85 10 25 J/SST175 3 to 6 125 10 25 J/SST176 1 to 4 250 10 25 J/SST177 0.8 to 2.25 300 10 25 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance J174
sst174 sst175 sst176 sst177.pdf
P-Channel JFET Switch LLC J174 J177 / SST174 SST177 FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25oC unless otherwise specified) A Low Insertion Loss No Offset or Error Generated By Closed Switch Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Purely Resistive Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Otros transistores... SSR1N60B, SSR1N60BTM, SSR2N60B, SSRK7002LT1G, SSS4N60B, SSSF11NS65UF, SST174, SST175, 7N65, SST177, SST4391, SST4392, SST4393, SST440, SST441, SST4416, SSTSD201
History: CWDM3011N
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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