SST177 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST177
Código: P07_S7_S77
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 3 V
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 300 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SST177
SST177 Datasheet (PDF)
j174 j175 j176 j177 sst174 sst175 sst176 sst177.pdf
J/SST174/175/176/177 SeriesVishay SiliconixP-Channel JFETsJ174 SST174J175 SST175J176 SST176J177 SST177PRODUCT SUMMARYPart Number VGS(off) (V) rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA) tON Typ (ns)J/SST174 5 to 10 85 10 25J/SST175 3 to 6 125 10 25J/SST176 1 to 4 250 10 25J/SST177 0.8 to 2.25 300 10 25FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: J174
sst174 sst175 sst176 sst177.pdf
P-Channel JFET SwitchLLCJ174 J177 / SST174 SST177FEATURES ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T = 25oC unless otherwise specified)A Low Insertion Loss No Offset or Error Generated By Closed Switch Gate-Drain or Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . 30VPurely Resistive Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Otros transistores... SSR1N60BTM , SSR2N60B , SSRK7002LT1G , SSS4N60B , SSSF11NS65UF , SST174 , SST175 , SST176 , K3569 , SST4391 , SST4392 , SST4393 , SST440 , SST441 , SST4416 , SSTSD201 , SSTSD203 .
History: IXTA230N075T2-7
History: IXTA230N075T2-7
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918