AFC6601 Todos los transistores

 

AFC6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFC6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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AFC6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  alfa-mos
 afc6601.pdf pdf_icon

AFC6601

AFC6601 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6601, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.4A,RDS(ON)=68m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low 30V/2.0A,RDS(ON)=90m@VGS=2

 8.1. Size:1036K  alfa-mos
 afc6604.pdf pdf_icon

AFC6601

AFC6604 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.5A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power m

 8.2. Size:1077K  alfa-mos
 afc6602.pdf pdf_icon

AFC6601

AFC6602 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6602, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.5A,RDS(ON)=75m@VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m@VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power m

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History: AM1440N | HM8N20I | MTP2311N3 | QM3001D

 

 
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