AFC6604 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFC6604  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AFC6604 datasheet

 ..1. Size:1036K  alfa-mos
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AFC6604

AFC6604 Alfa-MOS 20V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.5A,RDS(ON)=58m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=68m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power m

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AFC6604

AFC6601 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6601, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.4A,RDS(ON)=68m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low 30V/2.0A,RDS(ON)=90m @VGS=2

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AFC6604

AFC6602 Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC6602, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.5A,RDS(ON)=75m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power m

Otros transistores... AFC4599, AFC4604W, AFC5521, AFC5604, AFC5606, AFC6332, AFC6601, AFC6602, 2SK3568, AFC8562, AFN02N60T220FT, AFN02N60T220T, AFN02N60T251T, AFN04N60T220FT, AFN04N60T220T, AFN04N60T251T, AFN06N60T220FT