AFN04N60T220T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AFN04N60T220T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.16 nC
   Tiempo de subida (tr): 26.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 57 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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AFN04N60T220T Datasheet (PDF)

..1. Size:758K alfa-mos
afn04n60t220ft afn04n60t220t afn04n60t251t.pdf

AFN04N60 Alfa-MOS 600V / 4A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN04N60 is an N-channel enhancement mode Power 600V/2A,RDS(ON)=2.4(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-state

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HMS8N60

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: