AFN07N65T220FT Todos los transistores

 

AFN07N65T220FT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFN07N65T220FT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

AFN07N65T220FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  alfa-mos
 afn07n65t220ft afn07n65t220t.pdf pdf_icon

AFN07N65T220FT

AFN07N65 Alfa-MOS 650V / 7A N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN07N65 is an N-channel enhancement mode Power 650V/3.5A,RDS(ON)=1.4(MAX)@VGS=10V MOSFET which is produced using VDMOS technology. The Low gate charge improved planar stripe cell and the improved guard ring Low Crss terminal have been especially tailored to minimize on-sta

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History: FQPF3N80CYDTU | AFN3400S

 

 
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