IRLU014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLU014
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO251
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IRLU014 datasheet
irlr014pbf irlu014pbf.pdf
PD - 95360A IRLR014PbF IRLU014PbF Lead-Free 1/10/05 Document Number 91321 www.vishay.com 1 IRLR/U014PbF Document Number 91321 www.vishay.com 2 IRLR/U014PbF Document Number 91321 www.vishay.com 3 IRLR/U014PbF Document Number 91321 www.vishay.com 4 IRLR/U014PbF Document Number 91321 www.vishay.com 5 IRLR/U014PbF Document Number 91321 www.vishay.com 6 IRLR/U01
irlr014 irlu014 sihlr014 sihlu014.pdf
IRLR014, IRLU014, SiHLR014, SiHLU014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Surface Mount (IRLR014/SiHLR014) RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.20 RoHS* Straight Lead (IRLU014/SiHLU014) Qg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Qgs (nC) 3.5 Available in Tape and Reel Qgd (nC) 6.0 Logic-Level Gate Drive Configuration Singl
irlu014pbf.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU014PBF FEATURES Low power loss High speed switching Low on-resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 60 V D
Otros transistores... IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , IRLSZ34A , IRLSZ44A , IRLU010 , IRF830 , IRLU014A , IRLU020 , IRLU024 , IRLU024A , IRLU024N , IRLU110A , IRLU120A , IRLU120N .
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Liste
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