2SJ425 Todos los transistores

 

2SJ425 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ425

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F_FM20

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2SJ425 Datasheet (PDF)

5.1. 2sj421.pdf Size:104K _sanyo

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Ordering number:EN5077 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ421 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit:mm Ultrahigh-speed switching. 2116 4V drive. [2SJ421] 8 5 1 : Source 2 : Source 3 : Source 14 0.2 4 : Gate 5.0 5 : Drain 6 : Drain 7 : Drain 8 : Drain 0.595 1.27 0.43 SANYO : SOP8 Specifications Absolute Maximum Rating

5.2. 2sj420.pdf Size:102K _sanyo

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Ordering number:EN5064A P-Channel Silicon MOSFET 2SJ420 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit:mm Ultrahigh-speed switching. 2116 2.5V drive. [2SJ420] 8 5 1 : Source 2 : Source 3 : Source 14 0.2 4 : Gate 5.0 5 : Drain 6 : Drain 7 : Drain 8 : Drain 0.595 1.27 0.43 SANYO : SOP8 Specifications Absolute Maximum Rat

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