AFP3804 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP3804 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Encapsulados: TO-252
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Búsqueda de reemplazo de AFP3804 MOSFET
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AFP3804 datasheet
afp3804.pdf
AFP3804 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3804, P-Channel enhancement mode -40V/-10A,RDS(ON)= 38m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/ -8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui
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History: AFP3993 | SI4800BDY
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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