AFP3804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP3804
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de AFP3804 MOSFET
AFP3804 Datasheet (PDF)
afp3804.pdf

AFP3804 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3804, P-Channel enhancement mode -40V/-10A,RDS(ON)= 38m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/ -8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui
Otros transistores... AFP3413A , AFP3415 , AFP3425 , AFP3459 , AFP3481S , AFP3485 , AFP3497 , AFP3679S , IRF9540 , AFP3981 , AFP3993 , AFP4403 , AFP4435 , AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS , AFP4447 .
History: CS2N100D | AP09N50P-HF | OSG60R075HSZF | HY3208P | APT1201R6BVFR | 2SK1990 | MTP4N10
History: CS2N100D | AP09N50P-HF | OSG60R075HSZF | HY3208P | APT1201R6BVFR | 2SK1990 | MTP4N10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor