IRLU210A Todos los transistores

 

IRLU210A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLU210A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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IRLU210A datasheet

 ..1. Size:232K  fairchild semi
 irlr210a irlu210a.pdf pdf_icon

IRLU210A

IRLR/U210A FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 1.185 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings

 9.1. Size:904K  1
 irlu220a.pdf pdf_icon

IRLU210A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.609 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

 9.2. Size:313K  international rectifier
 irlr2703 irlu2703.pdf pdf_icon

IRLU210A

PD- 95083A IRLR/U2703PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 30V l Surface Mount (IRLR2703) l Straight Lead (IRLU2703) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.045 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated ID = 23A S l Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing te

 9.3. Size:335K  international rectifier
 irlr2908pbf irlu2908pbf.pdf pdf_icon

IRLU210A

PD - 95552B IRLR2908PbF IRLU2908PbF HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 80V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 28m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 30A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve

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