AFP8452 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP8452  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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AFP8452 datasheet

 ..1. Size:537K  alfa-mos
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AFP8452

AFP8452 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8452, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=70m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=90m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 8.1. Size:567K  alfa-mos
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AFP8452

AFP8451 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8451, P-Channel enhancement mode -60V/-3.0A,RDS(ON)=305m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.0A,RDS(ON)=330m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.1. Size:797K  alfa-mos
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AFP8452

AFP8463 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8463, P-Channel enhancement mode -40V/-6.0A,RDS(ON)= 46m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-4.2A,RDS(ON)= 62m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 9.2. Size:493K  alfa-mos
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AFP8452

AFP8483 Alfa-MOS 100V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8483, P-Channel enhancement mode -100V/-3.8A,RDS(ON)= 260m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -100V/-2.6A,RDS(ON)= 290m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particula

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