AFP8803 Todos los transistores

 

AFP8803 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AFP8803
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8P
 

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AFP8803 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  alfa-mos
 afp8803.pdf pdf_icon

AFP8803

AFP8803 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8803, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=58m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:603K  alfa-mos
 afp8833.pdf pdf_icon

AFP8803

AFP8833 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8833, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:599K  alfa-mos
 afp8823.pdf pdf_icon

AFP8803

AFP8823 Alfa-MOS 20V Common-Drain P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8823, P-Channel enhancement mode -20V/-7.2A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.8A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly sui

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History: AOW29S50 | UPA1792G

 

 
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