AFP8803 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AFP8803  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8P

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AFP8803 datasheet

 ..1. Size:680K  alfa-mos
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AFP8803

AFP8803 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8803, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=32m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=42m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=58m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:603K  alfa-mos
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AFP8803

AFP8833 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8833, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=48m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=62m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:599K  alfa-mos
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AFP8803

AFP8823 Alfa-MOS 20V Common-Drain P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8823, P-Channel enhancement mode -20V/-7.2A,RDS(ON)=48m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.8A,RDS(ON)=62m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m @VGS=1.8V These devices are particularly sui

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