AFP8823 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP8823
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1000 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8P
- Selección de transistores por parámetros
AFP8823 Datasheet (PDF)
afp8823.pdf

AFP8823 Alfa-MOS 20V Common-Drain P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8823, P-Channel enhancement mode -20V/-7.2A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.8A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly sui
afp8803.pdf

AFP8803 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8803, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=58m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low
afp8833.pdf

AFP8833 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8833, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: QH8KA2 | 2SJ152 | VS3620DP-G
History: QH8KA2 | 2SJ152 | VS3620DP-G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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