AFP8823 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AFP8823
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1000 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AFP8823
AFP8823 Datasheet (PDF)
afp8823.pdf
AFP8823 Alfa-MOS 20V Common-Drain P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8823, P-Channel enhancement mode -20V/-7.2A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.8A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly sui
afp8803.pdf
AFP8803 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8803, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=58m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low
afp8833.pdf
AFP8833 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8833, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=48m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-4.0A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low
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Liste
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