IRLU3103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLU3103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLU3103

IRLU3103 Datasheet (PDF)

..1. Size:286K international rectifier
irlu3103pbf irlr3103pbf.pdf

PD - 95085AIRLR/U3103PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR3103)VDSS = 30Vl Straight Lead (IRLU3103)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.019l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 55Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing

..2. Size:286K infineon
irlr3103pbf irlu3103pbf.pdf

..3. Size:261K inchange semiconductor
irlu3103.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3103FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

0.1. Size:2237K cn vbsemi
irlu3103p.pdf

IRLU3103Pwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.07 at VGS = 10 V 53 100 % Rg TestedRoHS30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.09 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONSTO-251 DC/DC ConversionD- System PowerGSN-Channel MOSFET G D STo

7.1. Size:322K international rectifier
irlr3105pbf irlu3105pbf.pdf

PD - 95553BIRLR3105PbFIRLU3105PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.037G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 25ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processingtechniques to achie

7.2. Size:322K infineon
irlr3105pbf irlu3105pbf.pdf

7.3. Size:260K inchange semiconductor
irlu3105.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3105FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

Otros transistores... IRLU120N , IRLU130A , IRLU210A , IRLU220A , IRLU230A , IRLU2703 , IRLU2705 , IRLU2905 , IRF3205 , IRLU3303 , IRLU3410 , IRLW510A , IRLW520A , IRLW530A , IRLW540A , IRLW610A , IRLW620A .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: