AM110N06-08P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM110N06-08P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 572 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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AM110N06-08P datasheet
am110n06-08p.pdf
Analog Power AM110N06-08P N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 8 @ VGS = 10V Low thermal impedance 60 110a 13 @ VGS = 4.5V Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circuits
am110p06-06b.pdf
Analog Power AM110P06-06B P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 6 @ VGS = -10V Low thermal impedance -60 -90 7 @ VGS = -4.5V Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R
am110p08-11b.pdf
Analog Power AM110P08-11B P-Channel 80-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 11.2 @ VGS = -10V Low thermal impedance -80 -110a 14.5 @ VGS = -5.5V Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE
Otros transistores... IRFBC30PBF , IRFBC30SPBF , AM10N30-600I , AM10P10-530D , AM10P10-530I , AM10P15-550D , AM10P20-1400D , AM10P20-690D , IRF840 , AM110P06-06B , AM110P08-11B , AM12N65P , AM12N65PCFM , AM1320N , AM1321P , AM1323P , AM1330N .
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