AM110N06-08P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM110N06-08P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 572 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM110N06-08P

AM110N06-08P Datasheet (PDF)

..1. Size:292K analog power
am110n06-08p.pdf

Analog Power AM110N06-08PN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)8 @ VGS = 10V Low thermal impedance 60110a13 @ VGS = 4.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circuits

9.1. Size:323K analog power
am110p06-06b.pdf

Analog Power AM110P06-06BP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)6 @ VGS = -10V Low thermal impedance -60 -907 @ VGS = -4.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

9.2. Size:325K analog power
am110p08-11b.pdf

Analog Power AM110P08-11BP-Channel 80-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)11.2 @ VGS = -10V Low thermal impedance -80-110a14.5 @ VGS = -5.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: