AM110P06-06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM110P06-06B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 162 nC
Tiempo de subida (tr): 68 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1238 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM110P06-06B
AM110P06-06B Datasheet (PDF)
am110p06-06b.pdf
Analog Power AM110P06-06BP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)6 @ VGS = -10V Low thermal impedance -60 -907 @ VGS = -4.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R
am110p08-11b.pdf
Analog Power AM110P08-11BP-Channel 80-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)11.2 @ VGS = -10V Low thermal impedance -80-110a14.5 @ VGS = -5.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE
am110n06-08p.pdf
Analog Power AM110N06-08PN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)8 @ VGS = 10V Low thermal impedance 60110a13 @ VGS = 4.5V Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems DRAIN connected Industrial DC/DC Conversion Circuits
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