AM1535CE Todos los transistores

 

AM1535CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM1535CE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70
 

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AM1535CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  analog power
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AM1535CE

Analog Power AM1535CEThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) () ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.09 @ V = 4.5V 1.5GSconverters and power management in portable and 30battery-powered products such as computers, 0.18

 9.1. Size:356K  analog power
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AM1535CE

Analog Power AM1537CEPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFETrDS(on) (m)VDS (V) ID (A)90 @ VGS = 10V1.530130 @ VGS = 4.5V1.2Key Features: 190 @ VGS = -10V1.0 Low r trench technology DS(on)-30290 @ VGS = -4.5V0.8 Low thermal impedance Fast switching speed SC70-6 Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Moto

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History: GSM5604 | IPA105N15N3G | AOB10T60P | HM25P15K | IRF8113PBF-1 | AP04N60J | NCE8295AD

 

 
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