AM1535CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM1535CE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-70
AM1535CE Datasheet (PDF)
am1535ce.pdf

Analog Power AM1535CEThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) () ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.09 @ V = 4.5V 1.5GSconverters and power management in portable and 30battery-powered products such as computers, 0.18
am1537ce.pdf

Analog Power AM1537CEPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFETrDS(on) (m)VDS (V) ID (A)90 @ VGS = 10V1.530130 @ VGS = 4.5V1.2Key Features: 190 @ VGS = -10V1.0 Low r trench technology DS(on)-30290 @ VGS = -4.5V0.8 Low thermal impedance Fast switching speed SC70-6 Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Moto
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History: DCCF016M120G3
History: DCCF016M120G3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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