AM1537CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM1537CE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM1537CE

AM1537CE Datasheet (PDF)

..1. Size:356K analog power
am1537ce.pdf

Analog Power AM1537CEPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 30-V (D-S) MOSFETrDS(on) (m)VDS (V) ID (A)90 @ VGS = 10V1.530130 @ VGS = 4.5V1.2Key Features: 190 @ VGS = -10V1.0 Low r trench technology DS(on)-30290 @ VGS = -4.5V0.8 Low thermal impedance Fast switching speed SC70-6 Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Moto

9.1. Size:94K analog power
am1535ce.pdf

Analog Power AM1535CEThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) () ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 0.09 @ V = 4.5V 1.5GSconverters and power management in portable and 30battery-powered products such as computers, 0.18

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: