AM1580CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM1580CE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.52 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 24 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.74 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-70

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AM1580CE Datasheet (PDF)

..1. Size:374K analog power
am1580ce.pdf

Analog Power AM1580CEPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 80-V (D-S) MOSFETrDS(on) (m)VDS (V) ID (A)740 @ VGS = 10V0.5280810 @ VGS = 4.5V0.50Key Features: 3300 @ VGS = -10V -0.25 Low r trench technology DS(on)-803400 @ VGS = -4.5V -0.24 Low thermal impedance Fast switching speed SC70-6 Typical Applications: LED Inverter Circuits DC/DC Conver

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: