IRLZ10 Todos los transistores

 

IRLZ10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLZ10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRLZ10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  1
 irlu010 irlz10 irlz20 irlz30 irlz40.pdf pdf_icon

IRLZ10

 9.1. Size:253K  international rectifier
 irlz14pbf.pdf pdf_icon

IRLZ10

PD - 95457IRLZ14PbF Lead-Free6/23/04Document Number: 91325 www.vishay.com1IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com2IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com3IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com4IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com5IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com6IRLZ14PbF+Circuit Layout Consider

 9.2. Size:291K  international rectifier
 irlz14s irlz14l.pdf pdf_icon

IRLZ10

PD - 9.903AIRLZ14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRLZ14S) Low-profile through-hole (IRLZ14L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.20G Fast SwitchingID = 10ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 9.3. Size:170K  international rectifier
 irlz14.pdf pdf_icon

IRLZ10

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History: IRLM110A | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | 13N50F | WFY3N02 | APT904R2AN | TN0110

 

 
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