AM2305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM2305
   Código: E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM2305

AM2305 Datasheet (PDF)

..1. Size:468K ait semi
am2305.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM2305 www.ait-ic.com MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM2305 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4A, R = 55m@V = -10V DS(ON) GS mode power field effect transistor is produced using -30V/-3A, R = 64m@V = -4.5V DS(ON) GShigh cell density. Advanced trench technology to -30V/-2A, R = 85m@V = -2.5V DS(ON)

0.1. Size:286K analog power
am2305p.pdf

Analog Power AM2305PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)43 @ VGS = -4.5V -4.5 Low thermal impedance -20 54 @ VGS = -2.5V -4.1 Fast switching speed 120 @ VGS = -1.8V -2.7Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Ci

0.2. Size:299K analog power
am2305pe.pdf

Analog Power AM2305PEP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)43 @ VGS = -4.5V -4.5 Low thermal impedance -20 54 @ VGS = -2.5V -4.1 Fast switching speed 120 @ VGS = -1.8V -2.7Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion C

0.3. Size:2435K cn vbsemi
am2305pe.pdf

AM2305PEwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-23

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Liste

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