IRFD014PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFD014PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP-4

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFD014PBF

IRFD014PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1360K international rectifier
irfd014pbf.pdf

PD- 95920IRFD014PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91125 www.vishay.com1IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com2IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com3IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com4IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com5IRFD014PbFDocument Number: 91125 www.vishay.com6IRFD014PbFPeak Diode Recovery

..2. Size:2021K vishay
irfd014pbf sihfd014.pdf

IRFD014, SiHFD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 11COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.1Qgd (nC) 5.8 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requireme

7.1. Size:171K international rectifier
irfd014.pdf