IRFD014PBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFD014PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD014PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: DIP-4

Búsqueda de reemplazo de IRFD014PBF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IRFD014PBF datasheet

..1. Size:1360K international rectifier
irfd014pbf.pdf pdf_icon

PD- 95920 IRFD014PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91125 www.vishay.com 1 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 2 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 3 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 4 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 5 IRFD014PbF Document Number 91125 www.vishay.com 6 IRFD014PbF Peak Diode Recovery

..2. Size:2021K vishay
irfd014pbf sihfd014.pdf pdf_icon

IRFD014, SiHFD014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 11 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Qgd (nC) 5.8 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requireme

7.1. Size:171K international rectifier
irfd014.pdf pdf_icon

7.2. Size:2019K vishay
irfd014 sihfd014.pdf pdf_icon

Otros transistores... IRFBF20SPBF, IRFBF30PBF, IRFBF30S, IRFBF30SPBF, IRFBG20PBF, IRFBG30PBF, IRFD010, IRFD012, 2SK3568, IRFD020, IRFD020PBF, IRFD024PBF, IRFD110PBF, IRFD113PBF, IRFD120PBF, IRFD123PBF, IRFD210PBF

IRFD014PBF Todos los transistores