IRFD020 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFD020 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD020

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD020 datasheet

..1. Size:242K vishay
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IRFD020, SiHFD020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) 50 Available Compact, End Stackable RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 7.1 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 7.1 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

..2. Size:218K vishay
irfd020 irfd020pbf sihfd020.pdf pdf_icon

8.1. Size:172K international rectifier
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8.2. Size:1270K vishay
irfd024pbf sihfd024.pdf pdf_icon

IRFD024, SiHFD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 25 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 11 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requiremen

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