IRFD9010PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9010PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD9010PBF datasheet

 ..1. Size:131K  vishay
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IRFD9010PBF

IRFD9010, SiHFD9010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast Switching RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Low Drive Current Qg (Max.) (nC) 11 Easy Paralleled Qgs (nC) 3.8 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E

 6.1. Size:448K  international rectifier
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IRFD9010PBF

 6.2. Size:129K  vishay
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IRFD9010PBF

IRFD9010, SiHFD9010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast Switching RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Low Drive Current Qg (Max.) (nC) 11 Easy Paralleled Qgs (nC) 3.8 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E

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IRFD9010PBF

PD- 95925 IRFD9014PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91136 www.vishay.com 1 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 2 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 3 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 4 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 5 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 6 IRFD9014PbF Peak Diode R

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