IRFD9014PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9014PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD9014PBF datasheet

 ..1. Size:1819K  international rectifier
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IRFD9014PBF

PD- 95925 IRFD9014PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91136 www.vishay.com 1 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 2 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 3 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 4 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 5 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 6 IRFD9014PbF Peak Diode R

 ..2. Size:1751K  vishay
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IRFD9014PBF

IRFD9014, SiHFD9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 12 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.8 P-Channel Qgd (nC) 5.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin

 6.1. Size:177K  international rectifier
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IRFD9014PBF

 6.2. Size:1750K  vishay
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IRFD9014PBF

IRFD9014, SiHFD9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 12 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.8 P-Channel Qgd (nC) 5.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin

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