IRFD9020PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFD9020PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: DIP-4

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IRFD9020PBF datasheet

 ..1. Size:1033K  vishay
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IRFD9020PBF

IRFD9020, SiHFD9020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dv/dt Rating VDS (V) - 60 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.28 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 19 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 5.4 P-Channel Qgd (nC) 11 175 C Opertaing Temperature Configuration Single Fast Switching

 6.1. Size:266K  international rectifier
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IRFD9020PBF

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 7.1. Size:1837K  international rectifier
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IRFD9020PBF

PD- 95922 IRFD9024PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91137 www.vishay.com 1 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 2 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 3 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 4 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 5 IRFD9024PbF Document Number 91137 www.vishay.com 6 IRFD9024PbF Peak Diode R

 7.2. Size:178K  international rectifier
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