IRFD9110PBF Todos los transistores

 

IRFD9110PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFD9110PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP-4
 

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IRFD9110PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1810K  international rectifier
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IRFD9110PBF

PD- 95921IRFD9110PbF Lead-Free10/28/04Document Number: 91138 www.vishay.com1IRFD9110PbFDocument Number: 91138 www.vishay.com2IRFD9110PbFDocument Number: 91138 www.vishay.com3IRFD9110PbFDocument Number: 91138 www.vishay.com4IRFD9110PbFDocument Number: 91138 www.vishay.com5IRFD9110PbFDocument Number: 91138 www.vishay.com6IRFD9110PbFPeak Diode R

 ..2. Size:1640K  vishay
 irfd9110pbf sihfd9110.pdf pdf_icon

IRFD9110PBF

IRFD9110, SiHFD9110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.2 P-ChannelQgd (nC) 4.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

 6.1. Size:173K  international rectifier
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IRFD9110PBF

 6.2. Size:1639K  vishay
 irfd9110 sihfd9110.pdf pdf_icon

IRFD9110PBF

IRFD9110, SiHFD9110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 1.2RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 8.7 COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.2 P-ChannelQgd (nC) 4.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin

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