IRFF212 Todos los transistores

 

IRFF212 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF212
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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IRFF212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:865K  njs
 irff212 irff213.pdf pdf_icon

IRFF212

 8.1. Size:130K  international rectifier
 2n6784 irff210.pdf pdf_icon

IRFF212

PD - 90424CIRFF210REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6784HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6784THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF210 200V 1.5 2.25AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin

 9.1. Size:133K  international rectifier
 2n6790 irff220.pdf pdf_icon

IRFF212

PD - 90427CIRFF220REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6790HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6790THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF220 200V 0.80 3.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin

 9.2. Size:131K  international rectifier
 2n6798 irff230.pdf pdf_icon

IRFF212

PD -90431CIRFF230REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6798HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6798THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF230 200V 0.40 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

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History: SI4154DY

 

 
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