IRFH4210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH4210
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH4210
IRFH4210 Datasheet (PDF)
irfh4210.pdf
FastIRFET IRFH4210PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.10(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) nC ID 245 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Active ORi
irfh4210d.pdf
FastIRFET IRFH4210DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.10(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) 37.0 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDS(ON) (
irfh4213d.pdf
FastIRFET IRFH4213DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 25 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDSon (
irfh4213.pdf
FastIRFET IRFH4213PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 26 nC ID 204 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Active ORing and
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History: NTLUF4189NZ
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