IRFH4210D Todos los transistores

 

IRFH4210D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH4210D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1459 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFH4210D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  international rectifier
 irfh4210d.pdf pdf_icon

IRFH4210D

FastIRFET IRFH4210DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.10(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) 37.0 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDS(ON) (

 6.1. Size:502K  international rectifier
 irfh4210.pdf pdf_icon

IRFH4210D

FastIRFET IRFH4210PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.10(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) nC ID 245 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Active ORi

 7.1. Size:499K  international rectifier
 irfh4213d.pdf pdf_icon

IRFH4210D

FastIRFET IRFH4213DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 25 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDSon (

 7.2. Size:504K  international rectifier
 irfh4213.pdf pdf_icon

IRFH4210D

FastIRFET IRFH4213PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 26 nC ID 204 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Active ORing and

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