IRFH4213 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH4213

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00135 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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IRFH4213 datasheet

 ..1. Size:504K  international rectifier
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IRFH4213

FastIRFET IRFH4213PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 26 nC ID 204 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Active ORing and

 0.1. Size:499K  international rectifier
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IRFH4213

FastIRFET IRFH4213DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.35 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.90 Qg (typical) 25 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDSon (

 7.1. Size:497K  international rectifier
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IRFH4213

FastIRFET IRFH4210DPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.10 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) 37.0 nC ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Features Benefits Low RDS(ON) (

 7.2. Size:502K  international rectifier
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IRFH4213

FastIRFET IRFH4210PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 1.10 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.35 Qg (typical) nC ID 245 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Active ORi

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