IRFH7004 Todos los transistores

 

IRFH7004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH7004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 156 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.9 V

Carga de compuerta (Qg): 129 nC

Tiempo de elevación (tr): 51 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 952 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0014 Ohm

Empaquetado / Estuche: PQFN5X6

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IRFH7004 Datasheet (PDF)

1.1. irfh7004.pdf Size:268K _upd-mosfet

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StrongIRFET™ IRFH7004PbF Applications HEXFET® Power MOSFET l Brushed Motor drive applications VDSS 40V l BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 1.1mΩ l Battery powered circuits l Half-bridge and full-bridge topologies max. 1.4mΩ l Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 259A l Resonant mode power supplies ID (Package Limited) 100A l OR-ing and redundant p

4.1. irfh7084.pdf Size:706K _upd-mosfet

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 StrongIRFET™ IRFH7084PbF Application HEXFET® Power MOSFET  Half-bridge and full-bridge topologies  Synchronous rectifier applications VDSS 40V  Resonant mode power supplies  DC/DC converters RDS(on) typ. 0.95m  DC/AC Inverters 1.25m max ID (Silicon Limited) 265A ID (Package Limited) 100A Benefits  Improved Ga

4.2. irfh7085.pdf Size:500K _upd-mosfet

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 StrongIRFET™ IRFH7085PbF HEXFET® Power MOSFET Application VDSS 60V  Half-bridge and full-bridge topologies  Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 2.6m  Resonant mode power supplies  DC/DC converters max 3.2m  DC/AC Inverters ID (Silicon Limited) 147A ID (Package Limited) 100A Benefits  Improved Gate, A

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