IRFH7085 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFH7085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH7085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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IRFH7085 datasheet

..1. Size:502K international rectifier
irfh7085pbf.pdf pdf_icon

StrongIRFET IRFH7085PbF HEXFET Power MOSFET Application VDSS 60V Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 2.6m Resonant mode power supplies DC/DC converters max 3.2m DC/AC Inverters ID (Silicon Limited) 147A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Gate, A

..2. Size:500K international rectifier
irfh7085.pdf pdf_icon

0.1. Size:502K 1
irfh7085trpbf.pdf pdf_icon

7.1. Size:706K international rectifier
irfh7084.pdf pdf_icon

StrongIRFET IRFH7084PbF Application HEXFET Power MOSFET Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications VDSS 40V Resonant mode power supplies DC/DC converters RDS(on) typ. 0.95m DC/AC Inverters 1.25m max ID (Silicon Limited) 265A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Ga

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