IRFH7107 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH7107 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: PQFN5X6
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IRFH7107 datasheet
irfh7107.pdf
IRFH7107PbF HEXFET Power MOSFET VDS 75 V RDS(on) max 8.5 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 48 nC RG (typical) 0.6 ID 75 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (
irfh7188.pdf
FastIRFET IRFH7188PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 6.0 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 33 nC Rg (typical) 0.92 ID 105 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Hot Swap and Active O-Ring Feature
irfh7185.pdf
FastIRFET IRFH7185PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 5.2 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC Rg (typical) 1.2 ID 123 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Hot Swap and Active O-Ring Features
irfh7110.pdf
IRFH7110PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max 20 V RDS(on) max 13.5 m (@VGS = 10V) 58 nC QG (typical) RG (typical) 0.6 PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IXFH12N90P
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Liste
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