IRFH7110 Todos los transistores

 

IRFH7110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH7110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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Principales características: IRFH7110

 ..1. Size:234K  international rectifier
 irfh7110.pdf pdf_icon

IRFH7110

IRFH7110PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max 20 V RDS(on) max 13.5 m (@VGS = 10V) 58 nC QG (typical) RG (typical) 0.6 PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

 8.1. Size:511K  international rectifier
 irfh7188.pdf pdf_icon

IRFH7110

FastIRFET IRFH7188PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 6.0 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 33 nC Rg (typical) 0.92 ID 105 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Hot Swap and Active O-Ring Feature

 8.2. Size:539K  international rectifier
 irfh7185.pdf pdf_icon

IRFH7110

FastIRFET IRFH7185PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 5.2 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC Rg (typical) 1.2 ID 123 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Hot Swap and Active O-Ring Features

 8.3. Size:484K  international rectifier
 irfh7191.pdf pdf_icon

IRFH7110

FastIRFET IRFH7191PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 8.0 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 26 nC Rg (typical) 1.0 ID 80 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Hot Swap and Active O-Ring Features

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