IRFH7188 Todos los transistores

 

IRFH7188 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH7188

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1074 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de IRFH7188 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFH7188 datasheet

 ..1. Size:511K  international rectifier
irfh7188.pdf pdf_icon

IRFH7188

FastIRFET IRFH7188PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 6.0 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 33 nC Rg (typical) 0.92 ID 105 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Hot Swap and Active O-Ring Feature

 7.1. Size:539K  international rectifier
irfh7185.pdf pdf_icon

IRFH7188

FastIRFET IRFH7185PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 5.2 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC Rg (typical) 1.2 ID 123 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Hot Swap and Active O-Ring Features

 7.2. Size:510K  international rectifier
irfh7184.pdf pdf_icon

IRFH7188

FastIRFET IRFH7184PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 4.8 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC Rg (typical) 1.2 ID 128 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Optimized for Secondary Side Synchronous Rectification Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Hot Swap and Active

 8.1. Size:234K  international rectifier
irfh7110.pdf pdf_icon

IRFH7188

IRFH7110PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V Vgs max 20 V RDS(on) max 13.5 m (@VGS = 10V) 58 nC QG (typical) RG (typical) 0.6 PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

Otros transistores... IRFH6200PBF , IRFH7004 , IRFH7084 , IRFH7085 , IRFH7107 , IRFH7110 , IRFH7184 , IRFH7185 , SKD502T , IRFH7190 , IRFH7191 , IRFH7194 , IRFH7440 , IRFH7446 , IRFH7545 , IRFH7787 , AM25P03-60D .

History: STP21N05L | STD12N05T4 | STD12N06 | STP19N06LFI

 

 

 


 
↑ Back to Top
.