AM3463P Todos los transistores

 

AM3463P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM3463P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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AM3463P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  analog power
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AM3463P

Analog Power AM3463PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)180 @ VGS = -10V -2.7 Low thermal impedance -60255 @ VGS = -4.5V -2.3 Fast switching speed Typical Applications: TSOP-6 White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSO

 9.1. Size:97K  analog power
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AM3463P

Analog Power AM3460NN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to PRODUCT SUMMARYprovide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical VDS (V) rDS(on) () ID (A)applications are DC-DC converters and power 0.027 @ VGS = 10 V 7.1management in portable and battery-powered 60products

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History: IPP029N06N | AFN08N50T220FT | WMM80R1K5S | HM4953C | AP15N03GJ-HF | CJ2306

 

 
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