AM3483 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3483
   Código: E6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3483

AM3483 Datasheet (PDF)

..1. Size:587K ait semi
am3483.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM3483 www.ait-ic.com MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES AM3483 is available in a SOT-26 package. -30V/-7.5V, R = 30m(max.) @ V = -10V DS(ON) GSR = 45m(max.) @ V = -4.5V DS(ON) GS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Available in a

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Liste

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