AM3520C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM3520C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AM3520C datasheet

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AM3520C

Analog Power AM3520C PRODUCT SUMMARY N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) 58 @ VGS = 4.5V 3.6 20 82 @ VGS = 2.5V 3.1 Key Features 160 @ VGS = 1.8V 2.2 Low r trench technology DS(on) 112 @ VGS = -4.5V -2.6 Low thermal impedance -20 172 @ VGS = -2.5V -2.1 Fast switching speed 210 @ VGS = -1.8V -1.9 Typical Applications Load Switch

 9.1. Size:162K  analog power
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AM3520C

Analog Power AM3524C N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs PRODUCT SUMMARY utilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.047 @ VGS = 4.5V 4.1 power loss and heat dissipation. Typical 20 applications are DC-DC converters and 0.055 @ VGS = 2.5V 3.8 power management in portable and

Otros transistores... AM3471P, AM3472N, AM3474N, AM3483, AM3490N, AM3490NE, AM3491P, AM3492NE, IRFP250N, AM3524C, AM3531C, AM3548C, AM3560C, AM3599C, AM35N03-40D, AM35N03-59D, AM3850C