AM3520C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3520C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.15 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 23 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 78 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3520C

AM3520C Datasheet (PDF)

..1. Size:380K analog power
am3520c.pdf

Analog Power AM3520CPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETrDS(on) (m)VDS (V) ID (A)58 @ VGS = 4.5V3.620 82 @ VGS = 2.5V3.1Key Features: 160 @ VGS = 1.8V2.2 Low r trench technology DS(on)112 @ VGS = -4.5V -2.6 Low thermal impedance -20 172 @ VGS = -2.5V -2.1 Fast switching speed 210 @ VGS = -1.8V -1.9Typical Applications: Load Switch

9.1. Size:162K analog power
am3524c.pdf

Analog Power AM3524CN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.047 @ VGS = 4.5V 4.1power loss and heat dissipation. Typical 20applications are DC-DC converters and 0.055 @ VGS = 2.5V 3.8power management in portable and

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: