AM3524C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3524C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3524C

AM3524C Datasheet (PDF)

..1. Size:162K analog power
am3524c.pdf

Analog Power AM3524CN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.047 @ VGS = 4.5V 4.1power loss and heat dissipation. Typical 20applications are DC-DC converters and 0.055 @ VGS = 2.5V 3.8power management in portable and

9.1. Size:380K analog power
am3520c.pdf

Analog Power AM3520CPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 20-V (D-S) MOSFETrDS(on) (m)VDS (V) ID (A)58 @ VGS = 4.5V3.620 82 @ VGS = 2.5V3.1Key Features: 160 @ VGS = 1.8V2.2 Low r trench technology DS(on)112 @ VGS = -4.5V -2.6 Low thermal impedance -20 172 @ VGS = -2.5V -2.1 Fast switching speed 210 @ VGS = -1.8V -1.9Typical Applications: Load Switch

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: